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总投资35亿元!聚灿光电拟扩产Mini/Micro LED氮化镓、砷化镓芯片项目

更新时间:2020-09-04 18:56:28 作者:创始人 访问量:0次 来源:

       9月4日,聚灿光电发布关于子公司签署《投资合同书》的公告,根据国家有关法律、法规以及省、市有关政策,宿迁经济技术开发区管理委员会(以下简称“甲方”)与聚灿光电科技(宿迁)有限公司本着互惠互利、诚实守信和平等自愿的原则,经充分友好协商,就聚灿光电在甲方辖区的项目投资、建设和经营等相关事宜于近日签订《宿迁经济技术开发区工业项目进区投资合同书》,双方共同遵守。

  据披露,该项目为聚灿光电扩产项目,主要产品包括Mini/Micro LED氮化镓、砷化镓芯片,项目总投资约350000万元,其中固定资产投资约300000万元(含设备投入270000万元以上)。

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  项目用地位于聚灿光电现有厂区内南部及厂区西南侧新增43亩工业用地,于2020年第四季度陆续投入使用。厂房建设总建筑面积约3万平方米,聚灿光电在取得新增国有土地使用权证后36月内建成投产(包含既有老厂房改建、装修和新建厂房)。

  聚灿光电表示,公司产品位于LED产业链上游,技术门槛和附加值均较高。公司的主要产品为GaN基高亮度蓝光LED芯片及外延片,公司所生产的高亮度蓝光LED芯片经下游封装后可广泛应用于照明及背光源等中高端应用领域。

  随着技术进步、应用领域的不断扩大、市场规模以及行业渗透率的不断提高,国内LED芯片行业整体呈现增长趋势,行业集中度逐步提高,LED芯片高端新兴应用的市场规模快速提高。为顺应行业发展趋势以及行业竞争环境的新态势,公司在已有产业布局的基础上,亟需进一步加强新兴高端应用领域的高光效LED芯片的产业布局,巩固并扩大市场份额,提升公司核心产品的技术水平,提高公司的市场地位,同时持续跟进产业技术发展方向,完善公司的产品结构,确保公司持续、快速、健康发展,增强公司盈利能力,提升上市公司质量,进而实现企业价值和股东利益最大化。


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